奇码数字信息有限公司笔试题 1 .画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V 曲线) 2 .2.2um 工艺下,Kn=3Kp ,设计一个反相器,说出器件尺寸。 3 .说出制作N-well的工艺流程。 4 .雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。 5 .用CMOS画一个D 触发器(clk ,d ,q ,q-)。
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